APTGT200H60G FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
APTGT200H60G
Transistorgehäuse :
Hersteller : MICROSEMI[Microsemi Corporation]
Pins :
Beschreibung :
Full Bridge Trench Field Stop IGBT Power Module
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
Transistorgehäuse :
Hersteller : MICROSEMI[Microsemi Corporation]
Pins :
Beschreibung :
Full Bridge Trench Field Stop IGBT Power Module
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C