BSM200GB120 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
BSM200GB120
Transistorgehäuse :
Hersteller : Siemens Semiconductor Group
Pins :
Beschreibung :
IGBT Power Module Loss IGBT inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C