BSM25GB120DN2 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
BSM25GB120DN2
Transistorgehäuse :
Hersteller : Siemens Semiconductor Group
Pins :
Beschreibung :
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C