CM200DY12E FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

CM200DY12E

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

CM200DY12E