GP200MHB12S FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

GP200MHB12S

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

GP200MHB12S