GP800DHB12S FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
GP800DHB12S
Transistorgehäuse :
Hersteller :
Pins :
Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C)
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
GP800DHB12S
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C)
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
GP800DHB12S