GT10J31206 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
GT10J31206
Transistorgehäuse :
Hersteller : Toshiba Semiconductor
Pins :
Beschreibung :
SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
Transistorgehäuse :
Hersteller : Toshiba Semiconductor
Pins :
Beschreibung :
SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C