GT10J321 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

GT10J321

Transistorgehäuse :

Hersteller : Toshiba Semiconductor

Pins :

Beschreibung :
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Chanenel IGBT

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

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