GT10J32106 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
GT10J32106
Transistorgehäuse :
Hersteller : Toshiba Semiconductor
Pins :
Beschreibung :
Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
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Hersteller : Toshiba Semiconductor
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Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C