GT25G101SM_06 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
GT25G101SM06
Transistorgehäuse :
Hersteller : Toshiba Semiconductor
Pins :
Beschreibung :
SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
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Hersteller : Toshiba Semiconductor
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SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C