GT25Q102 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
GT25Q102
Transistorgehäuse :
Hersteller : Toshiba
Pins :
Beschreibung :
Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
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Hersteller : Toshiba
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Beschreibung :
Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C