GT30J122 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
GT30J122
Transistorgehäuse :
Hersteller : Toshiba Semiconductor
Pins :
Beschreibung :
GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
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Hersteller : Toshiba Semiconductor
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GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C