HGT1S12N60B3DS9A FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
HGT1S12N60B3DS9A
Transistorgehäuse :
Hersteller :
Pins :
Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
HGT1S12N60B3DS9A