HGT1S12N60B3S9A FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

HGT1S12N60B3S9A

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

HGT1S12N60B3S9A