HGT1S1N120 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
HGT1S1N120
Transistorgehäuse :
Hersteller : INTERSIL[Intersil Corporation]
Pins :
Beschreibung :
6.2A 1200V Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C