HGT1S1N120BNDS FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
HGT1S1N120BNDS
Transistorgehäuse :
Hersteller : Intersil Corporation
Pins :
Beschreibung :
5.3A, 1200V, SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C