HGT1S1N120BNDS9A FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

HGT1S1N120BNDS9A

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 5.3A I(C) | TO-263AB

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

HGT1S1N120BNDS9A