HGT1S1N120CNDS FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
HGT1S1N120CNDS
Transistorgehäuse :
Hersteller : Intersil Corporation
Pins :
Beschreibung :
6.2A, 1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C