HGT1S2N120BNDS FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
HGT1S2N120BNDS
Transistorgehäuse :
Hersteller : INTERSIL[Intersil Corporation]
Pins :
Beschreibung :
1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C