HGT1S3N60C3D FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
HGT1S3N60C3D
Transistorgehäuse :
Hersteller : HARRIS[Harris Corporation]
Pins :
Beschreibung :
600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C