HGTD1N120BNS9A FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

HGTD1N120BNS9A

Transistorgehäuse :

Hersteller : Fairchild Semiconductor

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 2.7A I(C) | TO-252AA

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

HGTD1N120BNS9A