HGTP1N120BND FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
HGTP1N120BND
Transistorgehäuse :
Hersteller : INTERSIL[Intersil Corporation]
Pins :
Beschreibung :
5.3A, 1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C