HGTP1N120CND FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
HGTP1N120CND
Transistorgehäuse :
Hersteller : INTERSIL[Intersil Corporation]
Pins :
Beschreibung :
6.2A, 1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C