IGT4E10 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
IGT4E10
Transistorgehäuse :
Hersteller :
Pins :
Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-220AB
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
IGT4E10
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-220AB
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
IGT4E10