IRFG5210 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
IRFG5210
Transistorgehäuse :
Hersteller :
Pins :
Beschreibung :
200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
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200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C