IRGDDN200M12 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

IRGDDN200M12

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 420A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

IRGDDN200M12