IRGRDN200M12 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

IRGRDN200M12

Transistorgehäuse :

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Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 420A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

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