IRGTDN100M12 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

IRGTDN100M12

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

IRGTDN100M12