IRGTDN150M12 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

IRGTDN150M12

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

IRGTDN150M12