IRGTDN200K06 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

IRGTDN200K06

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 260A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

IRGTDN200K06