IRGTI0100M12 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

IRGTI0100M12

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

IRGTI0100M12