IRGTIN100M12 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

IRGTIN100M12

Transistorgehäuse :

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Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 175A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

IRGTIN100M12