IXDN55N120 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
IXDN55N120
Transistorgehäuse :
Hersteller : IXYS[IXYS Corporation]
Pins :
Beschreibung :
High Voltage IGBT with optional Diode
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
Transistorgehäuse :
Hersteller : IXYS[IXYS Corporation]
Pins :
Beschreibung :
High Voltage IGBT with optional Diode
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C