IXGH10N100U1 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
IXGH10N100U1
Transistorgehäuse :
Hersteller :
Pins :
Beschreibung :
VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
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VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C