IXSR35N120BD1 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
IXSR35N120BD1
Transistorgehäuse :
Hersteller :
Pins :
Beschreibung :
IGBT with Diode ISOPLUS (Electrically Isolated Backside)
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
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IGBT with Diode ISOPLUS (Electrically Isolated Backside)
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C