MG50H2YS1 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
MG50H2YS1
Transistorgehäuse :
Hersteller : Toshiba
Pins :
Beschreibung :
High Power Switching Application Silicon N-Channel IGBT
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
Transistorgehäuse :
Hersteller : Toshiba
Pins :
Beschreibung :
High Power Switching Application Silicon N-Channel IGBT
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C