NGB8207AN FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
NGB8207AN
Transistorgehäuse :
Hersteller : ON Semiconductor
Pins :
Beschreibung :
Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
NGB8207AN
Transistorgehäuse :
Hersteller : ON Semiconductor
Pins :
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Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
NGB8207AN