RA30H1317M1-101 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
RA30H1317M1-101
Transistorgehäuse :
Hersteller : Mitsubishi Electric Semiconductor
Pins :
Beschreibung :
MOSFET MODULE 135-175MHz 12.5V Stage Amp. MOBILE RADIO
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C