RA30H1317M1 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

RA30H1317M1

Transistorgehäuse :

Hersteller : Mitsubishi Electric Semiconductor

Pins :

Beschreibung :
MOSFET MODULE 135-175MHz 12.5V Stage Amp. MOBILE RADIO

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

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