Feldeffekttransistor Webseite

Alle Feldeffekttransistor.Liste.

RA55H4047M FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

RA55H4047M

Transistorgehäuse :

Hersteller : Mitsubishi Electric Semiconductor

Pins :

Beschreibung :
RF MOSFET MODULE 400-470MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

RA55H4047M