RA55H4452M FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
RA55H4452M
Transistorgehäuse :
Hersteller : Mitsubishi Electric Semiconductor
Pins :
Beschreibung :
RF MOSFET MODULE 440-520MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
RA55H4452M