RD07MVS1B FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

RD07MVS1B

Transistorgehäuse :

Hersteller : Mitsubishi Electric Semiconductor

Pins :

Beschreibung :
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,520MHz,7W

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

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