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VIE100-12S FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT

VIE100-12S

Transistorgehäuse :

Hersteller :

Pins :

Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 148A I(C)

Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C

VIE100-12S