VII200-12G4 FELDEFFEKTTRANSISTOR DER DATENBLATT
VII200-12G4
Transistorgehäuse :
Hersteller :
Pins :
Beschreibung :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
VII200-12G4
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
Betriebstemperaturbereich : Min °C | Max °C
VII200-12G4