FELDEFFEKTTRANSISTOR LISTE
- FREDFET
- High-electron-mobility transistor
Der high-electron-mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.
Andere Bezeichnungen für diesen Transitortyp... - DGMOFET
DGMOFET(Dual-gate MOSFET) ist ein zwei-Gate des MOSFET. - Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile... - Sperrschicht-Feldeffekttransistor
Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.
Der JFET erzeugt gegenüber dem... - Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET auch MOS-FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren...