Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Vorteilhaft ist auch eine gewisse Robustheit gegenüber Kurzschlüssen, da der IGBT den Laststrom begrenzt.
Es gibt in Summe vier verschiedene Grundtypen von IGBTs, welche durch vier verschiedene Schaltsymbole dargestellt werden. Je nach Dotierung des Grundmaterials lassen sich n- und p-Kanal-IGBTs herstellen. Diese unterteilen sich jeweils in einen selbstleitenden und einen selbstsperrenden Typ. Diese Eigenschaft ist im Rahmen des Herstellungsprozesses wählbar. In den Schaltsymbolen ist bei selbstleitenden IGBTs, auch als Verarmungs-Typ bezeichnet, eine durchgezogene Linie zwischen den Anschlüssen Kollektor (C) und Emitter (E) gezeichnet. Diese Linie ist bei den selbstsperrenden Typen, auch Anreicherungs-Typ bezeichnet, unterbrochen dargestellt. Der Gate-Anschluss (G) dient bei allen Typen als Steueranschluss.
Alle Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
(IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) )
Siemens Semiconductor Group
(600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode )
Fairchild Semiconductor
(600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode )
Fairchild Semiconductor
(Fast IGBT NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode )
Infineon Technologies
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