Sperrschicht-Feldeffekttransistor
Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.
Der JFET erzeugt gegenüber dem Bipolar-Transistor bei Frequenzen unterhalb von ca. 1 kHz eine deutlich kleinere Rauschleistung, bei höheren Frequenzen ist der Einsatz sinnvoll, wenn der Quellenwiderstand größer als ca. 100 kΩ … 1 MΩ ist (Typisch für Kondensatormikrophone, Piezoelektrische Sensoren, hochwertige Photodetektoren oder Aktivantennen mit geringer Höhe).
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(Precision Very Noise Input Bias Current Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers )
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